我国LED芯片发展历程
2003年6月中国科技部首i次提出我国发展半导体照明，LED外延片定制厂家，标志着我国半导体照明项目正式启动。
2006年的“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动，在国家政策和资金的倾斜支持下，2010年我国LED产业规模超1500亿元。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。
中国LED产业起步阶段，芯片主要依赖进口。近年来，在国家政策支持下，我国LED芯片厂商加大研发投入，国内LED芯片行业发展迅速，LED外延片定制，产能逐渐向中国大陆转移，2017年国内LED芯片供过于求苗头初现，主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。
中国LED芯片行业发展总结
1. 供过于求状态或将持续
经LED芯片行业大洗牌，海外企业与国内二三线芯片厂商产能逐步收缩，国内大厂将依靠资金、技术、规模优势继续大规模扩产高i端产能，LED芯片产能逐步释放，若无明显的需求爆发拉动，供过于求状态或将持续。
2. 优化传统LED芯片业务
对于传统通用照明产品毛利率的降低，杭州LED外延片，各家企业将持续优化产品性能、提升可靠性和良率等，以降成本为目标。此外，高附加值、高毛利产品比重将提升。
3. 企业走差异化路线
各大企业将寻找新增长点，走差异化路线：一是加强Mini/Micro LED、UV LED、VCSEL等新兴市场产品的开发，提升高i端产品的营收占比；二是或将重芯转至化合物半导体领域，深化GaAs和GaN材料的研究和应用。
LED芯片材料磊晶种类
1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs
6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
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