合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，进口210度读写存储器参数，如有需要的客户，欢迎来电。
随机存取存储器（Random Access Memory，简称RAM）：可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。根据所采用的存储器单元工作原理的不同，又将随机存储器分为SRAM和动态存储器DRAM。DRAM存储单元结构非常简单，他所能达到的集成度远高于SRAM。构成存储器的存储介质，存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节（按字节编址）。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示2的20次方，读写存储器，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1MB。
高温150度存储器
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RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，即掉电数据丢失。ROM 通常指固化存储器（一次写入，反复读取），它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型。
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1.位翻转错误：EEPROM存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转，进口150度读写存储器参数，导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。
2、写入错误：EEPROM存储器在写入数据时，可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。
3、擦除错误：EEPROM存储器在擦除数据时，可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。
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