蓝光LED通常采用Al2O3衬底，Al2O3衬底硬度很高、热导率和电导率低，如果采用正装结构，一方面会带来防静电问题，另一方面，在大电流情况下散热也会成为较为主要的问题。
同时由于正面电极朝上，会遮掉一部分光，发光效率会降低。
大功率蓝光LED通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。
现在主流的倒装结构做法是：首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光LED芯片，同时制备出比蓝光LED芯片略大的硅衬底，并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层(超声金丝球焊点)。
然后，利用共晶焊接设备将大功率蓝光LED芯片与硅衬底焊接在一起。
这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触，硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底，所以散热的问题很好地解决了。
由于倒装后蓝宝石衬底朝上，成为出光面，蓝宝石是透明的，因此出光问题也得到解决。
以上就是LED技术的相关知识，相信随着科学技术的发展，未来的LED灯回越来越高i效，使用寿命也会由很大的提升，LED模组供应商，为我们带来更大便利。
LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有比较重要的影响?
一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，LED模组定制价格，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，LED模组，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
LED芯片的分类有哪些呢？
TS芯片定义和特点
定义：transparent structure(透明衬底)芯片，LED模组供货商，该芯片属于HP的专i利产品。
特点：
(1)芯片工艺制作复杂，远高于AS LED。
(2)信赖性卓i越。
(3)透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。
(4)应用广泛。
AS芯片定义与特点
定义：Absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力，台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。
特点：
(1)四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。
(2)信赖性优良。
(3)应用广泛。
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