选择振荡器时需要考虑哪些因素

选择振荡器时需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，方波输出晶振报价，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。

晶体谐振器与晶体振荡器的区别

1，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。

3，晶体振荡器种类复杂繁多，可分为以下几种：普通振荡器（SPXO）；温补振荡器（TCXO）；压控振荡器（VCXO），压控温补振荡器（VC-TCXO）；恒温振荡器（OCXO）。而晶体谐振器只有一种，就是自身。

4，晶体振荡器的精度高于晶体谐振器，因此两者论性能稳定度，方波输出晶振，莫属晶体振荡器出众。晶体振荡器中的温补振荡器较高精度可达到0.5ppm，晶体谐振器较高精度只能做到5ppm，且为DIP封装，SMD封装较高精度仅仅只有10PPM。

5，无疑，晶体振荡器的成本高于晶体谐振器。

其次，晶体与晶振弄混会导致哪些误会。从上文的分析中我们可以得出结论，被动与主动的焊接电路是完全不同的，因晶体振荡器无需外接电容，晶体谐振器需外接电容电阻，方波输出晶振原厂，如若两者混淆采购，方波输出晶振加工，电路将无法正常起振。

选择晶体振荡器的要素

1、外观检测。通过检查外观看产品外观标记文字是否清晰规范、外观表面是否存在裂痕、引脚上是否已经焊过锡。如果从外表上发现了产品不完善，就不应拿来使用。

2、频率。客户根据产品需求来选择适合的频率，频率较为重要，不能随便替换频率。一定要经过合格验证或者测试通过的情况下，再进行协商。如果实际电路要求的频率是4.43MHZ，在没有货源的情况下，切勿随便更换差不多的频率来使用。

3、晶体振荡器输出模式。在选用晶体振荡器时，要考虑到电路需要的晶体振荡器输出类型，一般分电平输出和差分输出；电平输出：CMOS是常用的一种输出类型，而差分输出：LVPECL，LVDS常用差分输出类型。不同的输出类型之间可不随便变换，特别是差分跟普通晶体振荡器。

4、型号。应用晶体振荡器要看清外壳的型号标记，型号表明了晶体振荡器的多项参数指标，根据客户的产品需求来对应产品参数，而找出我们的型号。再把详细的参数规格书发给客户确认，才能正常出货。如果晶体振荡器型号选择不当，将导致应用错误。

5、晶体振荡器的代换原则。一个晶体振荡器如果损坏了，原则上应选用原型号晶振代换。在没有原型号时，经过测试后，可以考虑用其他型号或其他类型的晶体振荡器来代换。

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