mos万芯半导体-mos-炫吉电子





发热情况有:

1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,mos厂家,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高,主要是有时过分追求体积,mos价格,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。

3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,mos万芯半导体,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。





公司成立于2013年7月,mos,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。

场效应管的主要参数有很多种,其中包含直流电流、交流电流的参数和极限参数,但一般应用时只需关心下列基本参数:饱和状态的漏源电流量IDSS夹断电压Up,跨导gm、漏源击穿电压BUDS、较大损耗输出功率PDSM和较大漏源电流量IDSM。





公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。

电源作为电子设备的配电元器件,除开特性要考虑供电系统设备的规定以外,其自己的防护措施也很重要,如过电流、过电压、超温维护等。一旦电源没有过流保护设计方案,在输出短路故障或过载的时候会造成电源损坏,也有很有可能进一步造成电子设备毁坏,乃至造成实际操作工作人员的触电事故及火情等安全事故,而电源的过流保护跟使用的MOS管相关。





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