我国LED芯片发展历程
2003年6月中国科技部首i次提出我国发展半导体照明,标志着我国半导体照明项目正式启动。
2006年的“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动,在国家政策和资金的倾斜支持下,2010年我国LED产业规模超1500亿元。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的公告及路线图,明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期,同时也是LED照明行业的快速发展期。
中国LED产业起步阶段,芯片主要依赖进口。近年来,led模组批发,在国家政策支持下,led模组报价,我国LED芯片厂商加大研发投入,uv led模组价格,国内LED芯片行业发展迅速,产能逐渐向中国大陆转移,2017年国内LED芯片供过于求苗头初现,主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。
Led模组的产品特性:
特性1:高能效 高流明输出,极低光衰。
特性2:紫外线及红外线辐射几乎为零。
特性3:防尘防雨,防护等级达到IP66。
特性4:大视角发光,满足不同视距及正视和侧视时发光强度,需一致的视觉要求。
LED模组应用范围
外发光标识 、立体字,笔划繁复的面板发光字 、灯箱等。
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电子芯片和LED芯片有什么主要区别?
1,芯片的裸die尺寸相差不是太大,如cm/mm/0.1mm这个量级,但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路(常说的7nm/10nm工艺),IC设计和制造一样为非常复杂高难度的工程,由此衍生既像Intel、三星这样设计制造一体的公司,也有高通、苹果这样的Fabless公司及台积电这样的代工厂;而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极,里面的制程可能100um/10um级就够了,制造工艺流程也简单很多,从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的LED IC设计公司。
2,芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求很高,前者可能影响性能,缺陷多了,载流子移动速度上不来,如同一批货,有的能跑2.8GHz频率,有的只能跑2G以下;LED芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级(印象中数据),否则严重影响发光效率,也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。LED技术和产品已有几十年历史,但大规模使用(如液晶屏幕背光)是这二十年来的事情,材料不行导致发光效率低是首要原因。
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