200度高温存储器
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。

动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。

测井200度存储器
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FLASH存储器就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，210度高温读写存储器容量，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，200度读写存储器容量，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。

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存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门，150度读写存储器容量，之后在此基础上，形成组合逻辑用于存储信息，例如R-S锁存器和门控D锁存器，进而进一步组合复杂化，读写存储器，形成我们所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指RAM，而RAM分为动态RAM（DRAM）和静态RAM（SRAM）。SDRAM、DDR SDRAM、DDRⅡ

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