合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门，之后在此基础上，形成组合逻辑用于存储信息，例如R-S锁存器和门控D锁存器，210度读写存储器容量，进而进一步组合复杂化，形成我们所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指RAM，而RAM分为动态RAM（DRAM）和静态RAM（SRAM）。SDRAM、DDR SDRAM、DDRⅡ
200度原装存储器
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Flash存储器是一种电可擦除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦除或读写。Flash存储器由多个层次的结构组成，包括Device、target、LUN、Block和Page等。其中，LUN是逻辑单元，可以独立执行一个命令或汇报状态；Block是擦除的小单元，由多个Page组成；Page是写入和读出的基本单位。Flash存储器的主要特点是高集成度、低功耗和长寿命。
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EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊。 EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中。 但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸， 所以说EEPROM保持信息是有一定年限的（比如100年）。写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子，电子能量比较高，读写存储器，可能改变周围的晶格结构，导致浮栅俘获电子能力的下降，也就是表现为保存信息的时间变短， 所以才会有一个保守的写入次数限制（这里说保守是因为半导体的离散性大，200度读写存储器容量，实际的次数大得多）。 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了， 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖（而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年），所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用（坏了）。 如匠人的方法检测， 写入时测试好好的， 可能几秒钟之后该单元的数就逃了。
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