150度高温读写存储器容量-读写存储器-合肥启尔特
210度测井存储器
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,200度读写存储器容量,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,读写存储器,欢迎来电。



从技术面观之,根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种,后者依功能别又可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据);其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR,而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。


原装150度存储器
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EEPROM在写新的数据前不需要先擦除,可以每次改写一个字节。这种灵活的擦写方式使得EEPROM在需要频繁更新数据的场景中具有优势。然而,EEPROM的读写速度相对较慢,且容量较小,价格较高。

Flash存储器在写新的数据前必须先擦除,而且经常是只允许整页擦除,没有办法擦除一个字节。这种成块的读写方式使得Flash存储器在写入大量数据时具有较高的效率。但需要注意的是,Flash存储器的擦除操作相对复杂,需要消耗较长的时间。



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动态随机存储器(DRAM)

动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不可能等于0,所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充漏掉的电荷。



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