200度存储器flash
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1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，200度高温存储器厂，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。

用户不能直接运行NAND Flash上的代码，150度存储器厂，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

高温150度存储器

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RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，即掉电数据丢失。ROM 通常指固化存储器（一次写入，175度存储器厂，反复读取），它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型。

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Flash存储器是一种电可擦除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦除或读写。Flash存储器由多个层次的结构组成，包括Device、target、LUN、Block和Page等。其中，LUN是逻辑单元，可以独立执行一个命令或汇报状态；Block是擦除的小单元，由多个Page组成；Page是写入和读出的基本单位。Flash存储器的主要特点是高集成度、低功耗和长寿命。

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