合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,存储器,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
场上的FLASH存储器产品包括两类:1. 未预留缓冲空间的;2. 预留有缓冲空间的。
一种情况下,由于没有预留空间,FLASH存储器在读写时交换块的损耗相当大,于是就会出现容量越来越小的情况。
对于第二种情况,厂商在设计时已经预留部分物理块,比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用,其余24个物理块(包括坏块)用作缓冲交换块部分。每次上电后,存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照,交换块并不是固定的某一区块,因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同,不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的FLASH存储器来说,基本不会出现容量越来越小的情况。
175度高温存储器
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随机存取存储器(Random Access Memory,简称RAM):可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。根据所采用的存储器单元工作原理的不同,又将随机存储器分为SRAM和动态存储器DRAM。DRAM存储单元结构非常简单,他所能达到的集成度远高于SRAM。构成存储器的存储介质,存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元,每个存储单元可存放一个字节(按字节编址)。每个存储单元的位置都有一个编号,即地址,一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成,则可表示2的20次方,即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节,200度存储器型号,则该存储器的存储容量为1MB。
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存取时间(访问时间)TA:从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间(决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构)。
例如:
ROM存取时间通常为几百ns;
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns;
双极性RAM存取时间通常为10~20ns。
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