210度存储器厂-合肥启尔特(在线咨询)-存储器
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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,即可以根据地址随机读写,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快,多用来存储程序、操作系统等重要信息。



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eRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有许多突出的优点,200度高温存储器厂,其应用前景十分诱人。近年来,人们对它们的研究己取得了可喜的进展,175度存储器厂,尤其是FeRAM己实现了初步的商业应用。但它们要在实际应用上取得进一步重大突破,还有大量的研究工作要做。同时存储技术的发展是没有止境的,但是追求更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本和更高可靠性的目标永远不会改变。






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存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门,210度存储器厂,之后在此基础上,形成组合逻辑用于存储信息,例如R-S锁存器和门控D锁存器,进而进一步组合复杂化,形成我们所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器;所谓易失性存储器是指设备掉电,存储的信息自动清除,而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指RAM,而RAM分为动态RAM(DRAM)和静态RAM(SRAM)。SDRAM、DDR SDRAM、DDRⅡ


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