MOS管FET栅源保护：

1）避免 栅极 di/dt 过高

因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，2090mos厂家，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。

2）避免 栅源极间过压

因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，宁海2090mos，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 MOS 管不被穿透。

3）安全防护漏源极中间过压

尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，2090mos万芯半导体，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

    伴随着科技的不断发展，电子设备的设计工程师务必持续追随智能科技的脚步，为商品选择更为合适的电子元器件，才能使商品更合乎时期要求。在其中mos管是电子器件生产制造的基本上元器件，因而想要挑选合适的mos管就更要掌握它的特点和各种指标数据。

      在mos管的型号选择方法中，从结构形式（N型或是P型）、工作电压、电源开关性能、封装要素及其知i名品牌，应对不一样的产品运用，要求也跟着不一样，2090mos价格，下面我们会实际讲解下mos管的封装方式。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管的选型是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给工程师带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

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