CCD传感器-台湾研新股份有限公司-CCD传感器多少钱





假设电荷存储在电极①(加有10V电压)下面的势阱中,如图2(a)所示,加在CCD所有电极上的电压,通常都要保持在高于某一临界值电压Vth,Vth称为CCD阈值电压,CCD传感器报价,设Vth=2V。所以每个电极下面都有一定深度的势阱。显然,电极①下面的势阱深,如果逐渐将电极②的电压由2V增加到10V,这时,①、②两个电极下面的势阱具有同样的深度,并合并在一起,原先存储在电极①下面的电荷就要在两个电极下面均匀分布,(b)和(c)所示,然后再逐渐将电极下面的电压降到2V,使其势阱深度降低,(d)和(e)所示,CCD传感器多少钱,这时电荷全部转移到电极②下面的势阱中,此过程就是电荷从电极①到电极②的转移过程。如果电极有许多个,可将其电极按照1、4、7…,2、5、8…和3、6、9…的顺序分别连在一起,加上一定时序的驱动脉冲,即可完成电荷从左向右转移的过程。用3相时钟驱动的CCD称为3相CCD。





由于CCD采用电荷传递的方式传送数据,只要其中有一个象素不能运行,CCD传感器厂家,就会导致一整排的数据不能传送,因此控制CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难许多,即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破50%的水平,因此,CCD传感器,CCD传感器的成本会高于CMOS传感器。CMOS传感器的每个象素都比CCD传感器复杂,其象素尺寸很难达到CCD传感器的水平,因此,当比较相同尺寸的CCD与CMOS传感器时,CCD传感器的分辨率通常会优于CMOS传感器的水平。




面阵CCD的结构一般有3种。种是帧转性CCD。它由上、下两部分组成,上半部分是集中了像素的光敏区域,下半部分是被遮光而集中垂直寄存器的存储区域。其优点是结构较简单并容易增加像素数,缺点是CCD尺寸较大,易产生垂直拖影。第二种是行间转移性CCD。它是目前CCD的主品,它们是像素群和垂直寄存器在同一平面上,其特点是在1个单片上,价格低,并容易获得良好的摄影特性。第三种是帧行间转移性CCD。它是种和第二种的复合型,结构复杂,但能大幅度减少垂直拖影并容易实现可变速电子快门等优点。





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