晶振的负载电容

晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。

一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。

一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。负载电容+等效输入电容=22pF。

并联型晶体振荡器电路振荡过程

接通电源后，三极管VT导通，有变化Ic电流流过VT，它包含着微弱的0～∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路，选频电路从中选出f0信号，在X1、C1、C2两端有f0信号电压，取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，C1、C2两端的信号电压增大，上偏晶振生产厂家，C2两端的电压又送到VT基-射极，如此反复进行，上偏晶振，VT输出的信号越来越大，而VT放大电路的放大倍数逐渐减小，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，不会再增大，该信号再送到其他的电路。

晶体振荡器的主要参数

（1）频率准确度；（2）温度稳定度；（3）频率调节范围;（4）调频（压控）特性；（5）负载特性；（6）电压特性；（7）杂波；（8）谐波；（9）频率老化；（10）日波动；（11）开机特性；（12）相位噪声。我司可提供高温电子解决方案，上偏晶振现货，常年备有大量高温晶振的现货，可以从性能参数，成本等各方面为您的设计保驾护航，有的技术人员协助您设计，欢迎您前来咨询！

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