SU8模具制备流程

1.后烘

将曝光后的硅片放置在热板上，进行后曝光烘烤，以确保光刻胶的交联反应完成。（举例说明：目标胶厚度50um，设置温度65℃，烘烤7min，然后温度95℃，烘烤3min）

2.显影

将硅片放入显影剂中，使未曝光部分的光刻胶溶解，SU8光刻机企业，形成模具的图案。（显影时间根据光刻胶厚度和显影剂浓度进行调整，SU8光刻机设计，此处显影时间20min）

3.清洗

将显影后的硅片用异丙chun溶剂进行清洗，去除多余的光刻胶。

4.检查

使用显微镜检查制备的SU-8模具，测试观察制备的微结构尺寸，SU8光刻机公司，确认图案的清晰度和质量。

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耗材

硅片

硅片没有特殊要求，单面抛光即可。制备SU8模具时在硅片抛光旋涂光刻胶。

光刻掩膜板

光刻掩膜版（又称光罩，英文为Mask Reticle），简称掩膜版，是制备SU8模具光刻工艺所使用的图形母版，由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成微结构掩膜图形，通过曝光过程将微结构图形信息转移到SU8光刻胶涂层上，实现微结构的jing确复zhi。光刻掩膜版，SU8光刻机，一般可分为菲林掩膜版和玻璃掩膜版两种。

数显测厚规（千分款）

测量匀胶厚度量程:0~10mm

精度：0.001mm

公差：≤±0.005mm

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