随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更等级，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是制程对杂质的敏感度更高，太阳能光伏硅片清洗设备，小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。

在湿法清洗工艺路线下，目前主流的清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、组合式清洗设备和批式旋转喷淋清洗设备等，其中单片清洗设备市场份额占比高。湿法清洗工艺路线下主流的清洗设备存在程度的区分，主要体现在可清洗颗粒大小、金属污染、腐蚀均一性以及干燥技术等标准。目前至纯科技主要生产湿法清洗设备，提供槽式设备（槽数量按需配置）及单片机设备（8-12 反应腔），太阳能光伏硅片清洗设备价格，均可以覆盖 8-12 寸晶圆制造的湿法工艺设备。

半导体氧化设备具有可密封容器(或氧化室)，将具有内置加热器的加热台设置于这一氧化室的室内部。在加热台上设置衬底支座， 在衬底支座上放置半导体样品(或半导体衬底)。氧化室还设有用于向室内部提供包括蒸汽的氧化气氛的输入管和在氧化过程结束后用于排出室内部 中的氧化气氛的排出管。根据具有这样的结构的半导体氧化设备，有可能以相对高的复现性使半导体样品均勻氧化。


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