200度贴片电容供应商

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　　在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。

150度进口陶瓷电容销售

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按美国电工协会）标准为C0G（是数字0，区分260度直插电容价格，不是字母O，有些文献笔误为COG）或NP0（是数字0，不是字母O，有些文献笔误为NPO）以及我准的CC系列等型号的陶瓷介质（温度系数为0±30PPM/℃），这种介质极其稳定，温度系数极低，而且不会出现老化现象，损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响，介电系数可以达到400，介电强度相对高。这种介质非常适用于高频（特别是工业高频感应加热的高频功率振荡、高频无线发射等应用的高频功率电容器）、超高频和对电容量、稳定性有严格要求定时、振荡电路的工作环境，这种介质电容器的缺点是电容量不能做得很大（由于介电系数相对小），通常1206 表面贴装C0G介质电容器的电容量从0.5PF~0.01μF。

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离子迁移可严重破坏正电极表面银层，引线焊点与电极表面银层之间，间隔着具有半导体性质的氧化银，使无介质电容器的等效串联电阻增大，金属部分损耗增加，电容器的损耗角正切值显著上升。

　　由于正电极有效面积减小，电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时，两电极间搭起树枝状的银桥，使电容器的绝缘电阻大幅度下降。

　　综上所述，银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化，而且可能引起介质击穿场强下降，后导致电容器击穿。

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