微弧氧化技术的发展

微弧氧化技术是北京师范大学核科学与技术学院（低能核物理研究所）（北京市辐射中心）1992年起开发的科研课题，先后得到国家教委、国家九五863高技术研究发展计划、国家自然科学基jin的大力支持。1997-1998年完成国家“863”计划项目“等离子体微弧氧化表面改性技术”，1997年12月“铝合金微弧氧化技术”通过国家教委和863组的联合鉴定。2002年微弧氧化设备获得国家重点新产品证书，微弧氧化电源原理图，2004年微弧氧化双极性大功率脉冲电源获得发明。

微弧氧化采用较高的工作电压，微弧氧化电源，将工作区域由普通阳极氧化的法拉第区域引入到高压放电区域。采用该技术可在铝、镁合金表面生长一层致密的陶瓷膜，这层保护膜 与基体结合力强、尺寸变化小，耐磨损、耐腐蚀、耐热冲击及绝缘性能得到极大改善，在航空、航天、机械、电子、装饰等领域有广泛应用前景。微弧氧化技术、微弧氧化电源、微弧氧化生产线

微弧氧化封孔处理

由于微弧氧化陶瓷层表面分布着大量的微孔放电通道，微弧氧化电源价格，腐蚀介质能通过孔隙浸入镁合金基体产生腐蚀，在微弧氧化后对镁合金表面进行封孔处理，在孔隙的吸附作用下，封孔剂循着这些微孔或裂纹进入并填充，降低氧化膜的孔隙率，使外层疏松层逐渐变得致密，微弧氧化电源指标，膜层与基体结合良好，复合膜层具有更加致密和均匀的微结构，腐蚀电位正移，腐蚀电流密度降低，腐蚀电阻增大，进一步提升了MAO陶瓷层的耐蚀耐磨能力，同时可以增加膜层的色泽，改善膜层的美观性，或为其他膜层和结构材料的制备提供优良的衬底。

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