高温175度存储器厂-存储器-合肥启尔特(查看)
原装210度存储器
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150度测井存储器
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EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或一次性固化程序而不利于调试的问题;也突破了EPROM必须脱机用紫外线来擦除的繁琐和不稳定等问题。EEPROM直接采用电来重写数据,并可按字节进行擦除和再编程,高温210度存储器厂,从而克服了一般ROM的缺点和不足。但由于EEPROM的存储量一般不大,因此只适用于一些小容量存储的场合。
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EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗,因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式,则可以降低能耗。但是,EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗,因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显,通过功率门控的快速写入,非易失性存储器可以实现低的能耗。
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有许多比较各种新兴存储器的基准指标,包括写入速度、功耗、耐久性、资料保存期限、可扩展性(scalability)等。但新兴存储器的材料、结构、甚至工作机制,都还在快速进展之中,单看这些数据并不能有较远的能见度。
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