合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，高温210度存储器型号，如有需要的客户，欢迎来电。
Flash 储存器的标准物理结构，称之为基本位（cell）；一般MOS闸极（Gate）和通道的间隔为氧化层之绝缘（gate oxide），而Flash 储存器的特色是在控制闸（Control gate）与通道间多了一层称为“浮闸”（floating gate）的物质。拜这层浮闸之赐，存储器，使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，210度进口存储器型号，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。
150度高温存储器
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使用寄存器可以缩短至零长度、节省存储空间，提高指令的执行速度。不同的寄存器有不同的作用，如：通用寄存器(GR)用以存放操作数、操作数的地址或中间结果;指令寄存器(IR)用以存放当前正在执行的指令，以便在指令执行的过程中，控制完成一条指令的全部功能。
但是存储器包括寄存器，存储器有ROM和RAM，寄存器只是用来暂时存储，是临时分配出来的，所以存储器不会像寄存器断电后里面的内容就没了。
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存取时间（访问时间）TA：从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。
例如：
ROM存取时间通常为几百ns；
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns；
双极性RAM存取时间通常为10～20ns。
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