Flash存储器-启尔特-210度Flash存储器介绍
210度存储器

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寄存器一般是指由基本的RS触发器结构衍生出来的D触发,就是一些与非门构成的结构,一般整合在CPU内,其读写速度跟CPU的运行速度基本匹配,但因为性能好,210度高温Flash存储器介,所以造价昂贵,一般好的CPU也就只有几MB的2级缓存,1级缓存更小。

  存储器是在CPU外,一般指硬盘,U盘等可以在切断电源后保存资料的设备,150度高温Flash存储器介,容量一般比较大,缺点是读写速度都很慢,普通的机械硬盘读写速度一般是50MB/S左右。

  所以内存和寄存器的出现就是为了解决存储器读写速度慢而产生的多级存储机制。



210度进口存储器
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EEPROM存储器原理

EEPROM存储器采用浮栅晶体管作为存储单元,通过向浮栅注入或移除电荷来改变晶体管的阈值电压,从而实现数据的存储。与传统ROM相比,EEPROM具有可擦除和可编程的特性,使得数据可以被修改。



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动态存储器每片只有一条输入数据线,而地址引脚只有8条。为了形成64K地址,必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上,借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元,锁存信号也靠着外部地址电路产生。


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