200度存储器芯片
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。

光擦可编程只读存储器（EPROM）

光擦可编程只读存储器（EPROM）的特点是内容可以用特殊的方式擦除和重写。EPROM出厂时，其存储内容为全「1」，用户可根据需要将部分内容改写为「0」，需要修改存储内容时，可将原存储内容擦除（恢复为全「1」），以便写入新的内容。

EPROM一般是将芯片用紫外线照射15～20分钟左右，只读存储器，以擦除其中的内容，然后用的EPROM写入器将信息重新写入，一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前，EPROM常用于软件开发过程中。

原装150度存储器
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，200度高温只读存储器参数，欢迎来电。

EEPROM在写新的数据前不需要先擦除，可以每次改写一个字节。这种灵活的擦写方式使得EEPROM在需要频繁更新数据的场景中具有优势。然而，EEPROM的读写速度相对较慢，且容量较小，价格较高。

Flash存储器在写新的数据前必须先擦除，210度只读存储器参数，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节。这种成块的读写方式使得Flash存储器在写入大量数据时具有较高的效率。但需要注意的是，Flash存储器的擦除操作相对复杂，需要消耗较长的时间。

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场上的FLASH存储器产品包括两类：1. 未预留缓冲空间的；2. 预留有缓冲空间的。

一种情况下，由于没有预留空间，FLASH存储器在读写时交换块的损耗相当大，于是就会出现容量越来越小的情况。

对于第二种情况，厂商在设计时已经预留部分物理块，比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用，其余24个物理块（包括坏块）用作缓冲交换块部分。每次上电后，存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照，交换块并不是固定的某一区块，因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同，不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的FLASH存储器来说，基本不会出现容量越来越小的情况。

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