200度存储器flash
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。

1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。

用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

210度存储器eeprom
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AM：Random Access Memory，随机访问存储器。以手机为例，RAM在手机上相当于运行内存，是用来存储和保存数据的。

RAM可以通过指令随机的、个别的对各个存储单元进行访问，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。

RAM的速度比较快，175度高温只读存储器参数，但是其保存的信息需要电力支持，一旦丢失供电即数据消失，200度高温只读存储器参数，所以又叫易失性存储器。

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根据Flash生产厂商，理论上闪存盘可擦写1，只读存储器，000，000次，折合正常使用次数计算，闪存盘里数据可保存约10年左右。

FLASH存储器在使用一段时间后，再次格式化，其容量会自动变小。

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