温度对微弧氧化的影响

       微弧氧化与阳极氧化不同，所需温度范围较宽。一般为10—90度。温度越高，微弧氧化技术，成膜越快，但粗糙度也增加。且温度高，微弧氧化技术实验，会形成水气。一般建议在20—60度。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源

微弧氧化

       微弧氧化又称等离子体电解氧化、微等离子体氧化等，是通过电解液与相应电参数的组合，微弧氧化技术原理，在铝、镁、钛等金属及其合金表面依靠弧光放电产生的瞬时高温高压作用，原位生长出以基体金属氧化物为主的陶瓷膜层。在微弧氧化过程中，化学氧化、电化学氧化、等离子体氧化同时存在，因此陶瓷层的形成过程非常复杂，至今还没有一个合理的模型能完全描述陶瓷层的形成。

微弧氧化技术原理

       将工件（铝、镁、钛、锆及其合金）和不锈钢（或石墨）板置于电解质水溶液中，工件接电源正极，不锈钢（或石墨）板接电源负极，电源接通后工件表面发生阳极钝化生成高阻kang氧化膜，随着氧化膜增厚以及外加电压的不断增加，高电场强度使得氧化膜内部及表面电荷积累变得严重。固体绝缘材料中空间电荷的存在使得原来的电场发生畸变，使局部电场加强，镁合金微弧氧化技术，导致氧化膜击穿，产生火花放电。当氧化膜被击穿后，就会形成基体金属离子和溶液中活性氧离子等物质扩散转移的通道，基体金属离子和氧离子，在电化学、热化学和等离子体化学的共同作用下，生成氧化物陶瓷。

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