合肥启尔特(图)-200度EEPROM容量-EEPROM
175度测井存储器
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,150度高温EEPROM容量,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,150度EEPROM容量,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
210度芯片存储器
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合肥启尔特(图)-200度EEPROM容量-EEPROM由合肥启尔特石油科技有限公司提供。合肥启尔特石油科技有限公司在电容器这一领域倾注了诸多的热忱和热情,合肥启尔特一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场,衷心希望能与社会各界合作,共创成功,共创辉煌。相关业务欢迎垂询,联系人:齐奎。
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Flash 储存器的标准物理结构,称之为基本位(cell);一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),EEPROM,而Flash 储存器的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。
210度芯片存储器
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新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器,200度EEPROM容量,主要包括相变半导体(Phase Change Memory;PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。这些新兴存储器目前都在竞争储存级存储器(Storage Class Memory;SCM)的主要位置。
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电擦可编程只读存储器(EEPROM或E2PROM)
EEPROM用电气方法将芯片中存储内容擦除,擦除速度较快,甚至在联机状态下也可以操作。相对来说,EPROM用紫外线擦除内容的操作就更复杂,速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式,使用字擦除方式可擦除一个存储单元,使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。
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