合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
由EPROM操作的不便，150度读写存储器型号，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。EPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为小修位，不必将资料全部洗掉才能写入，摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EPROM在写入数据时，读写存储器，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。借助于EPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“ON”的位置，210度高温读写存储器型号，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“OFF”的位置，防止CIH类的病毒对BIOS芯片的修改。所以，至今仍有不少主板采用EPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。
200度原装存储器
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Flash存储器是一种电可擦除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦除或读写。Flash存储器由多个层次的结构组成，包括Device、target、LUN、Block和Page等。其中，LUN是逻辑单元，可以独立执行一个命令或汇报状态；Block是擦除的小单元，200度高温读写存储器型号，由多个Page组成；Page是写入和读出的基本单位。Flash存储器的主要特点是高集成度、低功耗和长寿命。
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新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器，主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。这些新兴存储器目前都在竞争储存级存储器(Storage Class Memory；SCM)的主要位置。
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