光纤探测器的原理

发光二极管和半导体激光器的输出频谱是随机起伏的。严格说来具有非相干性。但是，如果利用将光功率变为电信号电压的普通的光探测器，以进行包络线检波，可见光光谱仪探测器厂家，即使改变光频谱，紫外光谱仪探测器厂家，也能准确地读取调制的电信号，这种普通的光探测器是把功率(与电压的平方成正比)转换为电信号，鄂尔多斯光谱仪探测器厂家，因而叫做平方律检波。值得注意的是，应该解调的电信号大小所受损耗与光损耗的平方成正比。与此相反，正在研究的外插方式是利用相位干涉的方式，被认为是未来方式。

光纤探测器的条件

光通信接收装置需要将光信号变为电信号的光探测器(平方律检波)。这种光探测器需要有如下特点: 灵敏度要高(要与光的波长相对应) ;频带要宽(或要高速相应) ;附加噪声要小;特性不因外界条件而变;不需要高压电源。这种光探测器中有半导体光探测器，它使用PIN光电二极管(PD)、 雪崩电二极管 (APD等。

光电探测器的基本工作机理

光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eg<hv，紫外光谱仪探测器厂家，则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。

当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收主要的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。

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