一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，LED外延片定制，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
外延片与晶圆的关系
分子束外延法属于物理气相沉积PVD里的真空蒸发法的一种，广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。
芯片制造全部工艺的成品叫做晶圆wafer，前道工艺流程中的一个环节是薄膜沉积，也就是真空镀膜，分子束外延就是薄膜沉积的一种方法，在裸硅片（或者其他衬底）上利用分子束外延法镀上多层薄膜，形成该芯片所需要的结构，用分子束外延法制作出来的已经完成镀膜的半成品就是外延片，外延片再经过光刻、刻蚀、清洗、离子注入等工艺环节，再经过打线、Bonder、FCB、BGA植球、检测等后道工艺形成的成品就是晶圆wafer。
LED芯片的尺寸常识：
按外形分类，芯片一般分为圆片和方片。其中圆片相对较低档，性能不够稳定，我司一般不采用圆片生产的LED；方片一般以尺寸大小来衡量，比如12 mil (1 mil =0.0254平方毫米)。一般来说，同一品牌的芯片，芯片尺寸越大，LED外延片厂家供应，亮度越高。
LED的颜色常识：
LED的不同颜色是由其不同波长的芯片决定的，比如，LED外延片供应商，红光芯片一般波长是620~630nm （纳米），绿光芯片一般波长是527nm， 蓝光芯片的一般波长是470nm， 黄光芯片的一般波长是585nm， 白光LED用的也是蓝光芯片，只是在蓝光芯片上加上适量的的荧光粉就发出白光了。
LED的分类：
按功率大小分：可分为小功率，大功率 （行业上一般把0.5W 以上的灯叫做大功率灯）
按外形分：可分为直插式和贴片式
草帽LED又可以按灯头的尺寸细分为F3（灯头的直径是3mm），湖州LED外延片，F5（灯头的直径是5mm）； 或按灯头的形状细分为无边，薄边，厚边，圆头；按灯头透明与否可分为透明，雾状。更多细分方法不尽列举，以上所列仅以我司经常采用为依据。
食人鱼LED同样可以按灯头的尺寸分为F3，F5，按灯头的形状分为圆头（即常见的食人鱼灯），平头（这种形头很特殊，其发光角度接近180度，一般用在需要散光的场合）。
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