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根据清洗介质的不同,目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线。湿法清洗是针对不同的工艺需求,采用特定的化学药液和去离子水,对晶圆表面进行无损伤清洗,以去除晶圆制造过程中的颗粒、自然氧化层、有机物、金属污染、牺牲层、抛光残留物等物质,可同时采用超声波、加热、真空等辅助技术手段;干法清洗是指不使用化学溶剂的清洗技术,主要包括等离子清洗、超临界气相清洗、束流清洗等技术。


半导体氧化设备具有可密封容器(或氧化室),将具有内置加热器的加热台设置于这一氧化室的室内部。在加热台上设置衬底支座,半导体氧化设备供应商, 在衬底支座上放置半导体样品(或半导体衬底)。氧化室还设有用于向室内部提供包括蒸汽的氧化气氛的输入管和在氧化过程结束后用于排出室内部 中的氧化气氛的排出管。根据具有这样的结构的半导体氧化设备,半导体氧化设备,有可能以相对高的复现性使半导体样品均勻氧化。


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