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离子镀技术早由D. M. Mattox于1963年提出并付诸实践的。其原理是在真空条件下,利用气体放电使气体或被蒸发物质离化,在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时,把蒸发物或其他反应物镀在基片上的工艺。
根据膜层粒子的获得方式,离子镀可分为蒸发型离子镀和溅射型离子镀,其中蒸发型离子镀根据放电原理不同又可分为直流二级型离子镀、热丝弧离子镀、空心阴极离子镀以及热阴极离子镀等。
磁控溅射是70年代在阴极溅射的基础上发展起来的一种新型溅射镀膜法,镀钛公司,由于它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的致命弱点,金属镀钛公司,因此获得了迅速的发展和广泛的应用.
1. 磁控溅射:
离子轰击靶材将靶面原子击出的现象称为溅射.溅射产生的原子沉积在基体(工件)表面即实现溅射镀膜.
磁控溅射的基本原理:
磁控溅射是在溅射区加了与电场方向垂直的磁场,处于正交电场区E和磁场B中的电子的运动方程,
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