高温210度存储器

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存取时间（访问时间）TA：从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。

例如：

ROM存取时间通常为几百ns；

RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns；

双极性RAM存取时间通常为10～20ns。

210度存储器eeprom
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AM：Random Access Memory，随机访问存储器。以手机为例，RAM在手机上相当于运行内存，是用来存储和保存数据的。

RAM可以通过指令随机的、个别的对各个存储单元进行访问，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。

RAM的速度比较快，但是其保存的信息需要电力支持，一旦丢失供电即数据消失，所以又叫易失性存储器。

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Flash，150度内存储器价格，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”。

Flash结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的功能，还可以快速读取数据，具有NVRAM的优势（NVRAM：Non-Volatile Random Access Memory，非易失性随机访问存储器）。

在过去，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，Flash的出现，代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘、固态硬盘）。

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