超纯金属，指的化学杂质和物理杂质 (晶体缺陷) 含量的金属。目前主要以化学杂质的含量为标准，常以杂质在金属中总含 量的百万分之几表示 。超纯金属是相对高纯度的金属，一般指金属纯度达到纯度9以上的金属，物理杂质的概念才是有意义的。

材料的纯度对其性能，特别是微电子学、光电子学性能影响很大，现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作器件。

各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下，银粒加工，金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料，银粒技术，其他金属也有同样的情况，阜新银粒，由于杂质存在影响金属的性能。

钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，这种缺点即可以克服（钨丝也有掺杂及加工问题）。

而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，银粒谁家好，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

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