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按其制造工艺可分为
(1)双极型存储器特点:运算速度比磁芯存储器速度约快了 3个数量级,而且与双极型逻辑电路型式相同,使接口大为简化。
(2)MOS晶体管存储器特点:集成度高、容量大、体积小、存取速度快、价格便宜、功耗低、维护简单。
175度存储器芯片
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不可重写只读存储器,也可分为两类,包括掩模只读存储器(MROM)和可编程只读存储器(PROM)。
1、掩模只读存储器(MROM)
掩模只读存储器,200度只读存储器价格,又称固定ROM。这种ROM在制造时,生产商利用掩模(Mask)技术把信息写入存储器中,使用时用户无法更改,适宜大批量生产。
MROM又可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器(PROM)
可编程只读存储器(Programmable ROM,简称PROM),是可由用户一次性写入信息的只读存储器,是在MROM的基础上发展而来的。
PROM的缺点是用户只能写入一次数据,写入后就不能再修改。
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Flash 储存器的标准物理结构,称之为基本位(cell);一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),150度高温只读存储器价格,而Flash 储存器的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。
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