一种半导体氧化设备，其配有:由室壁界定的可密封氧化室;设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座;用于向所述氧化室供应对所述

半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分;监测窗，太阳能光伏硅片清洗设备，其设置于所述氧化室的室壁之一内，太阳能光伏硅片清洗设备供应商，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处;监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品;以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

干法清洗主要是采用气态的刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层，虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点，但可清洗污染物比较单一，目前在 28nm 及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短，在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势，太阳能光伏硅片清洗设备选择，目前湿法清洗是主流的清洗技术路线，占比达芯片制造清洗步骤数量的 90%。

今天要讲的是一个看起来不起眼但同样重要的环节——清洗。半导体清洗主要是为了去除芯片生产中产生的各种沾污杂质，是芯片制造中步骤的工艺，几乎贯穿整个作业流程。由于芯片的加工过程对洁净度要求非常高，所有与芯片接触的媒介都可能对芯片造成污染，半导体设备零部件的洁净度的好坏对半导体芯片制程、芯片质量的控制影响很大。


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