背靶的选择

对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，厚度在3mm左右

导电性好：常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好；

强度足够：太薄，易变形，不易真空密封。

结构要求：空心或者实心结构；

厚度适中：3mm左右，太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。

铟焊绑定的流程

1.绑定前的靶材和背板表面预处理

2.将靶材和背板放置在钎焊台上，银电极头厂，升温到绑定温度

3.做靶材和背板金属化

4.粘接靶材和背板

对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。

此外，银电极头厂家，采用连续硫化法时，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，鞍山银电极头，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。

采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。

而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

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