发热情况有：

1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，温州中低压mos，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，中低压mos厂家，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

    伴随着科技的不断发展，电子设备的设计工程师务必持续追随智能科技的脚步，为商品选择更为合适的电子元器件，才能使商品更合乎时期要求。在其中mos管是电子器件生产制造的基本上元器件，因而想要挑选合适的mos管就更要掌握它的特点和各种指标数据。

      在mos管的型号选择方法中，从结构形式（N型或是P型）、工作电压、电源开关性能、封装要素及其知i名品牌，应对不一样的产品运用，要求也跟着不一样，下面我们会实际讲解下mos管的封装方式。

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mos管失效的六个原因：

1、电压失效是大家常说漏源间的BVdss电压超出了mosfet的额定电压，而且超出了一定的能力进而导致mosfet失效。

2、电流失效即是超过了mosfet安全工作范围而造成的无效，其中又分为Id超出器件规格而导致的失效以及其Id过大，耗损过高导致器件长期热累积而导致的失效。

3、在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的拓扑结构中，因为体二极管遭到毁坏而导致的无效。

4、在并联的应用过程中，栅极跟电路寄生参数导致波动会造成谐振失效。

5、在干燥的环境中，因为人体跟设备而产生的静电会导致器件的静电无效。

6、因为栅极出现异常工作电压顶i峰，导致栅极电压无效。

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