IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种复合型功率半导体器件,半电流IGBT图片,集成了绝缘栅、双极晶体管和二端子MOS管的特性。它具有快速开关速度和高电流能力等特点,广泛应用在电力电子领域中作为大容量电能转换的元器件
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半电流IGBT是一种新型的功率半导体器件,具有快速导通、高速关断的特点。其具体性能包括高耐压能力(高650V)、低饱和电压和良好的热稳定性等优点使其在强电领域有着广泛的应用前景.
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