靶材的主要性能要求

纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”， 8“发展到12”， 而布线宽度由0.5um减小到0.25um，0.18um甚至0.13um，包银导电辊回收，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，包银导电辊哪家好，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

杂质含量：靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和性元素含量都有特殊要求。

靶材保养：为避免在溅射过程中因为不洁净的腔体导致短路和起弧，有必要阶段性的除去溅射轨道中间及两侧堆积的溅射物，这也有助于用户可以连续以大功率密度进行溅射。

靶材储存：我们建议用户将靶材无论是金属或陶瓷类保存在真空包装中， 尤其是贴合靶材更需要保存在真空条件下，以避免贴合层氧化影响贴合质量。对于金属靶材的包装，我们建议少需要包装在洁净的塑料袋中。

通过控制工艺条件能生产出IC-Ag99.99标准的电解银粉，但高纯银的产率很低，且电解液中铜、铅离子升高很快，包银导电辊，对电解液必须进行频繁的处理，且电解银粉中的杂质元素铜、铅、铁等时常会超标，使用电银加工材料的客户颇有微词，故必须再寻找途径，提高银的质量。

在2005年后，包银导电辊加工，由于外购银泥发生变化，杂质含量变动很大，采用原有的工艺根本无法再生产高纯银。

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