LED芯片材料磊晶种类

1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs

6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

电子芯片和LED芯片有什么主要区别？

电子芯片和LED芯片有什么主要区别？

1，led外延片价格，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm这个量级，淮南led外延片，但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路（常说的7nm/10nm工艺），IC设计和制造一样为非常复杂高难度的工程，由此衍生既像Intel、三星这样设计制造一体的公司，也有高通、苹果这样的Fabless公司及台积电这样的代工厂；而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极，里面的制程可能100um/10um级就够了，制造工艺流程也简单很多，从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的LED IC设计公司。

2，led外延片厂家，芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求很高，前者可能影响性能，缺陷多了，载流子移动速度上不来，如同一批货，有的能跑2.8GHz频率，有的只能跑2G以下；LED芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级（印象中数据），否则严重影响发光效率，也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。LED技术和产品已有几十年历史，但大规模使用（如液晶屏幕背光）是这二十年来的事情，材料不行导致发光效率低是首要原因。

LED芯片的分类有哪些呢？

GB芯片定义和特点

定义：Glue Bonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。

特点：

(1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

(2)芯片四面发光，具有出色的Pattern图。

(3)亮度方面，其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。

(4)双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

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