SU8模具制备流程

1.后烘

将曝光后的硅片放置在热板上，进行后曝光烘烤，以确保光刻胶的交联反应完成。（举例说明：目标胶厚度50um，SU8模具加工设备，设置温度65℃，烘烤7min，然后温度95℃，烘烤3min）

2.显影

将硅片放入显影剂中，SU8模具加工设备，使未曝光部分的光刻胶溶解，形成模具的图案。（显影时间根据光刻胶厚度和显影剂浓度进行调整，此处显影时间20min）

3.清洗

将显影后的硅片用异丙chun溶剂进行清洗，去除多余的光刻胶。

4.检查

使用显微镜检查制备的SU-8模具，测试观察制备的微结构尺寸，确认图案的清晰度和质量。

顶旭（苏州）微控技术有限公司是一家专注于微流控领域的高科技企业，我们致力于为客户提供微流控芯片定制、表面修饰改性、微流控芯片加工设备、以及微流控仪器等全mian的微流控解决方案

SU8模具制备流程

1.备片

从化学品存放区取出清洁的硅片（确保硅片表面无尘）。

2.匀胶

1）打开匀胶机，将硅片放置在匀胶机托盘上，打开真空开关，确保硅片固定在托盘上不动；

2）将SU8光刻胶滴在硅片中间，根据光刻胶的厚度和制备要求设置匀胶机转速和时间。（举例说明：目标胶厚度50um，SU8模具加工设备企业，光刻胶型号：SU8-2075，1段500转8s，2段1800转30s）

3.前烘

1）将涂布好SU8光刻胶的硅片放置在热板上，进行预热烘烤，去除光刻胶中的挥发性有机溶ji，时间和温度根据光刻胶厚度进行调整。（举例说明：目标胶厚度50um ，设置温度65℃，烘烤15min，然后温度95度，烘烤15分钟）

4.曝光

1）将预热后的硅片放置在桌面光刻机托盘上。

2）使用相应的掩模（掩膜）放置在硅片上进行曝光，曝光时间和强度根据SU-8光刻胶的类型和厚度进行调整。（举例说明：目标胶厚度50um，设置曝光能量25mw/cm2，时间12s）

微流控芯片加工设备： 提供丰富多样的微流控芯片加工设备，涵盖SU8模具加工、PDMS芯片加工和玻璃芯片加工。可以帮助客户在自己的实验室内进行微流控芯片的快速制作，从而提高实验效率和灵活性。

桌面光刻机

曝光光源：紫外LED光源波长：365nm;曝光面积：4英寸、6英寸可选；曝光方式：单面接触式定时曝光；曝光分辨率：2um；曝光强度：20~200mW/cm2可调；曝光不均匀性：≤5%；光源平行性：≤2°；光源寿命：≥20000h；电源输入：AC220V±10V，50HZ功率：250W重量：25kg外形尺寸：382（长）*371（宽）*435（高）工作环境：温度0℃-40 ℃，相对湿度＜80 %

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