在LED芯片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,led外延片批发,从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
在该产业早期,由于技术和设备都被日美企业掌握,国内并没有掌握相关技术和设备来生产芯片,所以只能从事 LED 下游产业。随着技术的升级,一些低端的 LED芯片生产技术被国内企业掌握,再加上国家的大力支持,所以在 2000年开始国内出现了大量 LED 芯片企业。
国内 LED 芯片企业蕞早的一批应该算是1993年2月成立的南昌欣磊光电科技有限公司了,早期生产的大部分都是如下图的发光二极管,一般用于指示灯。
而国内高亮度 LED 芯片企业从 1999年前后才开始雨后春笋般的出现了,下一篇将从1999年开始回顾下大陆 LED 芯片产业的激荡二十年!看看这二十年中那些企业消失在了历史的长河中,而那些企业能够越做越大做到基业长青!
国家对LED产业的发展也给予了大力支持。2006年,根据我国半导体照明产业的发展现状,有关部门制定半导体照明产业发展计划和2006年技术发展路线图提出,对于LED芯片的投资将占LED产业投资的20%,研究重点将放在GaN芯片的生产以及功率芯片的研发上。
虽然拥有极大的市场需求并得到有关部门的大力支持,但不可否认的是,现阶段LED芯片产业仍然存在技术缺乏、人才短缺、产品质量不高、设备自主生产能力弱等发展困境。如何解决上述问题是我国LED产业能否持续健康快速发展的关键。
王莹认为,LED芯片产业的快速发展将助推LED产业整体升级。在LED芯片产业的发展过程中,早期产品主要以普通亮度芯片为主,生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。2003年以后,以厦门三安、大连路美为代表的芯片生产企业针对芯片市场的需求,纷纷把产品重点集中到高亮度芯片上,直接带动了高亮度芯片产量的快速增长。一时间,led外延片,国内掀起了LED芯片产业发展的热潮,高亮度芯片成为LED芯片产业发展的主要推动力。2006年,led外延片报价,我国LED芯片产量达到309.3亿个,产值达到11.9亿元。
随着LED芯片生产企业的不断增多,LED芯片产值的增长速度一直高于封装环节,led外延片厂家,导致芯片产值在我国LED产业产值中所占比重不断提升,由2002年的5.4%上升至2006年的11.3%。由此可见,我国LED产业正在由低端走向,向附加值更高、更具价值的芯片环节迈进。
据王莹预测,2008年高亮度芯片产量将超过普通亮度芯片,LED芯片产业进入高亮度时代。在很长一段时间内,企业将会把投资重点放在高亮度芯片的生产上。
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