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集成电路工艺(integrated circuit technique )是把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，贴片电阻排，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。集成的设想出现在50年代末和60年代初，175度高温贴片电阻排公司，是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现的。电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。

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金属氧化膜电阻器是将锡等金属化合物加热氧化而成的，通称为“金属氧化物”。

金属线及金属带：电阻器采用锰(镍)铜和镍铬等合金线和带状线，主要作为绕线型使用。 材料自由度大， 由于机械的制约，不能使用过细的电阻线，电阻值的范围偏向O.lQ一数十kO。 与其他电阻器相比，金属线和金属带的截面积大，因此具有能够承受瞬时大电流的优点。

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一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。

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