四氟化1碳一般认为是惰性低毒物质，在高浓度下是窒息剂，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳与氟1化氢的反应在填有氢1氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。

四氟化碳（CF4）早就是通过氟碳直接反应法制得的，该方法经过不断的发展与完善， 如今已成为工业上制备全的主要的方法之一。高纯四氟化碳是纯度在99.999%以上的四氟化碳产品，是一种无色无味气体。高纯四氟化碳不可燃烧，在常温常压条件下化学性质稳定，在密闭容器中遇高热有危险，不溶于水，可溶于苯、等部分溶剂。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。

四氟化碳贮存注意事项：气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。气瓶内的气体不能全部用尽，应该留不小于0.04MPa剩余压力。四氟化碳对于硅和二氧化硅体系，兰州四氟化碳，采用CF4-H2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，四氟化碳价格，可以获得45：1的选择性，四氟化碳公司，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳是当前微电子工业中应用量高的等离子体蚀刻气体，被广泛应用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蚀刻。除此之外，四氟化碳还能在电子电器表面清洗、激光、低温制冷、太阳能电池等领域有着应用。

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