武汉研华交换机-康创
为了满足多样化的关键工业应用,研华的SQR-SD4E同时满足强固性能需求。采用底部填充技术,使DRAM芯片和基板之间有更强的结构支撑,有效降低了边缘应力。同时,它能更好地防止潮湿和其他环境危害,以提高内存模块的稳定性和耐久性。由于需要特殊的内存性能要求,并非所有的gao性能嵌入式计算应用都能充分受益于加固技术。SQR-SD4E SQRAM为不同的使用情况提供不同选项的散热解决方案。额外的散热片可以消散更多的热量,并保持足够低的模块温度,以避免在运行期间过热。而拥有附加的散热片可以在***关键的环境中提高内存模块的耐久性。
由于市场对存储的需求不断提高,3D NAND闪存技术顺应主流应运而生,与上一代2D NAND Flash技术相对比,3D NAND Flash(BiCS)高密度、大容量、高速度、高可靠性以及低功耗等特性,在市场上占据了更大的优势。
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