超纯氧气的纯度标准是多少？

超纯氧气的纯度标准一般是氧气含量不低于99.995%。

在实际应用中，对于一些特殊行业，超纯氧气哪家便宜，如电子半导体制造，对超纯氧气的纯度要求可能更高，甚至达到99.999%以上。这是因为这些高精度的工业生产过程不能容忍过多杂质，哪怕是微量杂质也可能影响产品质量，比如在芯片制造过程中，高纯度的氧气用于氧化反应，杂质可能导致芯片出现缺陷。

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高纯氧气

氧气是人类生存的必需品，那么超纯氧气跟氧气有什么区别呢。接下来我们的小编为大家说一下普通氧气和高纯氧气的区别！

氧气，俗称干燥氧；指采用深冷分离法将大气中氧气分离以供应救治人使用的氧气。氧含量不小于99.5％，无色、无味、有害杂质少，是一种特殊的流通商品。检测项目包括氧含量、水分含量、二氧化碳含量、、气态酸性物质和碱性物质含量、臭氧及其他气态氧化物、气味等项，同时在生产过程中必须对二氧化碳有害气体和杂质进行过滤。

而超纯氧气的纯度≥99.995%并未进行过有害杂质清除。不可与氧气混用！

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大家知道制作超纯氧气的方法有什么呢？相信很多人都不知道吧，那么接下来就让小编为大家做一个详细的介绍吧。我们一起来看一下吧。

首先按照摩尔比1:1比例取出浓度大于99.9%，粒度小于500微米的硅粉和碳粉，然后进行两次合成。在初次合成步骤中，将所取硅粉和碳粉混合均匀放入坩埚中，再将坩埚置于中频感应加热炉，并对加热炉的生长室抽真空，除去其中的氧气和氮气，同时将温度升高至1000摄氏度。然后向生长室中充入高纯度的氦气和氢气的混合气体，加热至1500摄氏度，保持反应时间15分钟，超纯氧气价格，而后降至室温，超纯氧气多少钱一瓶，后将反应后的产物中大于1厘米的团聚物碾成小于1毫米的粉末。

在二次合成步骤中，将上述产物粉末混合均匀重新放入坩埚，并将坩埚再次置于中频感应加热炉，抽真空环境，超纯氧气，升高温度到1000摄氏度，通入氦气和氢气的混合气体。然后升高温度到1600摄氏度到2000摄氏度，保持反应合成时间2小时到10小时，再降至室温。通过这两步即可以得到粒度小于20微米的适用于半导体碳化硅硅单晶生长的高纯碳化硅粉，采用粉末衍射法(XRD)对初次合成和二次合成产物进行物相分析，得到的XRD如图1所示，通过分析可以发现初次合成粉末有硅和碳的单质剩余，而二次合成则可以使得反应更加完全，得到纯度更高的碳化硅。

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