广州福滔微波设备有限公司是集科研、试验、开发、制造为一体,以高科技、高技术、高质量、率为特征的高新技术企业。拥有一支十多年从事微波应用技术研究的骨干技术队伍,并积累了多项微波应用的技术,特别是在非标产品的工艺设计开发领域,具有的技术实力和保障。公司上下员工始终贯彻“品质求精、技术创新”,倡导“以人为本、诚信立业”的企业精神。欢迎咨询了解:石墨烯生产设备、石墨烯设备厂家、石墨烯干燥设备、石墨烯制造设备、石墨烯成套设备、微波石墨烯设备等。
多孔石墨烯的制备方法
无模板法
无模板法包括刻蚀法、溶剂热法和化学气相沉积法。
刻蚀法
刻蚀法是利用刻蚀剂与石墨烯之间发生化学反应,使石墨烯表面的碳原子被反应刻蚀以后留下孔结构的一种方法。该方法对于材料的刻蚀具有明显的选择性,即刻蚀结束立刻停止,不会损坏其余层面的材料。
溶剂热法
溶剂热法是在特定的高压反应釜中,利用水或有机i溶剂作为反应体系,将其加热至临界温度,在高压反应体系中进行材料合成的一种方法,该方法极大地减少了环境污染,并且制备得到的多孔石墨烯材料具有孔径可控的优势。
化学气相沉积法
化学气相沉积法制备多孔石墨烯材料的主要过程是将甲i烷、乙i炔等含碳气体,再使气态碳源沉积到固态体基体表面,制备得到石墨烯,然后在保护气体中逐渐升温,终获得多孔石墨烯材料的一种方法。该方法操作简单、可大规模生产,且制得的多孔石墨烯材料结构完整,具有优良的导电性能。
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浅谈石墨烯的制备方法
化学气相沉积法:化学气相沉积法是指用甲i烷、乙醇等碳源(含碳前驱体)在高温下分解释放出碳原子,并经退火沉积在基底(多为金属基底)生长石墨烯的方法(俗称烧炉子╮(╯-╰)╭),是目前有可能得到大面积、高质量石墨烯的理想方法。
根据金属基底材料的不同,CVD 有两种生长机制:一是渗碳析碳生长,这是由金属基底在高温下溶碳量较高造成的(常见的有镍、钴等金属),前驱体高温分解释放碳原子,碳沉积并渗入基底内,降温时析出生长形成石墨烯;二是表面吸附生长,铜、铂等金属溶碳量较小,石墨烯微波烘干机厂家,碳原子直接吸附到金属表面生长形成石墨烯。这两种生长机制中后者更易形成大面积单层石墨烯。
外延生长法:1962年,Badami 在近乎真空的条件下对 SiC 加强热后发现了石墨的存在,这就是 SiC 外延生长的起源。外延生长一般是以 SiC 为原料,将其置于高温、低压环境中,利用 Si 原子的升华速度比 C 原子快得多把 Si 除去而只留下 C 在其表面,之后表面的 C 原子会发生重构生长形成石墨烯。
外延生长和 CVD 本质上都是利用碳原子在基底表面发生重构形成石墨烯片层,所以二者都能较好的实现石墨烯的大面积、高均一性的高质量生长,不过外延生长的条件更为苛刻,还存在 SiC 成本过高、石墨烯难以与基底分离等 CVD 法没有的困难,进而极大地限制了工业化应用。
石墨烯的制备工艺
剥落。基本上有两种不同的方法来制备石墨烯。一方面,石墨烯可以与已有的石墨晶体分离,即所谓的去角质方法,另一方面,石墨烯层可以直接在基质层上生长。2004年,诺沃塞洛夫和Gaim用一种简单的胶粘带将石墨烯制成了石墨烯。
分散的石墨
石墨烯可以在液相中制备。这样可以提高产量,从而获得更高的石墨烯量。i简单的方法是将石墨分散在有机i溶剂中,其表面能量几乎与石墨相同。因此,能量障碍必须克服,才能从晶体中分离出来。然后超声在超声波浴中进行数百小时或电压的应用。在分散后,珠海石墨烯微波烘干机,溶液必须离心,以处理厚片。所获得的石墨烯薄片的质量非常高,且具有很高的力学性能。但是它的大小仍然非常小,石墨烯微波烘干机定做,也不具备可控性。另一方面,复杂性很低,正如上面提到的,这个方法允许准备大量的图形。用热或化学方法将石墨烯导入常规石墨烯。几乎不可能处理掉所有的氧气。。这种方法的性能与原始石墨烯的液相剥离非常相似。只有复杂程度更高,因为石墨氧化物必须首先生产,所以需要使用几种化学物质。此外,所获得的氧化石墨烯必须在以后减少,石墨烯微波烘干机安装,使用热处理或化学试剂。与原始石墨烯相比,还原氧化石墨烯的质量很差,但氧化石墨烯可能是理想的产品。用Ca和Mg离子修饰的氧化石墨烯可以形成非常拉伸的氧化石墨烯纸,因为在石墨烯薄片的官能团之间,离子是交联剂。
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