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场效应管的主要参数有很多种，其中包含直流电流、交流电流的参数和极限参数，但一般应用时只需关心下列基本参数：饱和状态的漏源电流量IDSS夹断电压Up，跨导gm、漏源击穿电压BUDS、较大损耗输出功率PDSM和较大漏源电流量IDSM。

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我国是全世界极大的MOS器件市场，2020年，我国MOS器件市场规模约为187亿元，在全世界总市场中的占比达到45%。我国是全世界极大的智能手机、汽车生产国，5G技术处于全世界的头部位置，且新型电子产品不断问世，因此MOS器件市场前景好，且高的性能的产品需求不断上升。这些因素有利于我国围栅硅纳米线MOS器件行业发展。

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MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

大电流mos-炫吉-WP大电流mos由苏州炫吉电子科技有限公司提供。苏州炫吉电子科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工队伍，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。炫吉电子——您可信赖的朋友，公司地址：苏州市相城区渭塘镇渭泾西路10-7号，联系人：陈鹤。