LED芯片材料磊晶种类

1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs

6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

MOCVD介绍：

金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Depoisition，简称 MOCVD)， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。

该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子设备，主要用于GaN(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业蕞有发展前途的设备之一。

LED显示控制芯片。真彩高分辨率LED电子显示屏作为一种新的显示媒体，以其清晰的图像和的播放能力，uv led模组价格，愈来愈受到人们的重视。而对于LED显示单元来讲，三基色LED管芯是其器件，因此应使用波长相差小和发光强度一致性好的高质量管芯，而此种技术主要掌握在世界大公司手中，如日本的日亚公司等。 

　　四是散热性。由于户外环境温度变化极大，再加之显示屏工作时本身要产生一定的热量，如果环境温度过高又加之散热不良，将很可能导致集成电路工作不正常，led模组价格，甚至被烧毁，led模组，从而使显示系统无法正常工作。 　　任一行业的发展都都会遇到技术问题这一颈瓶，特别是像LED电子大屏幕这一类高新技术行业。特伦斯光电始终在LED显示屏方面不断研究创新，正视并着手解决这些问题，为促进整个行业的发展献出一份力。

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