抛光液的温度越低，材料的去除速度越快。低温条件下材料的去除速度快主要是因为: 温度越低，抛光液被蒸发需要吸收的热量就越多，相同条件下生成的气体越少，包围在零件周围的混合气体层越薄，而在压强和电压不变的情况下，气体变薄就意味着电场强度增大，导致碰撞电离系数显著增大，虽然总的碰撞距离减小，但仍然有更多的电子冲击到工件表面，材料的去除速度当然更快。但在抛光液低温情况下，混合气体层较薄，也意味着气体层不太稳定，等离子抛光过程中断并转变一般电解的的可能性越大，同时气体层薄也意味着系统的电阻减小，电流增大，且电流值大幅度变化，常常引起零件尖锐部位烧蚀等现象，这对复杂形状零件和大尺寸零件来说特别明显。随着抛光液温度的提高，等离子纳米抛光过程开始稳定，90-100属于理想加工温度范围，在这一范围内材料的去除速度虽然不是快，却更容易获得更好的表面质量。温度继续升高将导致抛光液气化增强，混合气层温度升高厚度增加，加工时间也相应延长。当抛光液温度达到95-99°C时，等离子加工过程转到泡沫状态。抛光液沸腾，蒸气气层失去自身的尺寸和形状整个零件处于连续移动的泡沫中，其电阻与等离子理想加工状态的气层电阻值相比大大提高，此时被加工表面电流也会减小。
等离子抛光的原理
在高温超高电流的作用下，电解质水产生电离子，分离化学液态电浆，利用电解质水溶和高温、高压的配合产生等离子，等离子与工件的表面摩擦而产生抛光的效果。等离子抛光的过程中涉及到化学变化，其材料去除机理主要表现在材料的化学去除过程，其原理为反应等离子在放电过程中产生许多离子和化学活物质，这些中性物质称其为自由基，与原来的气体分子相比，这些自由基是活跃的刻溶剂。等离子体的材料去除机理不仅仅包括化学反应的去除原理，还包含物理方法的去除原理，但主要的还是气相化学反应去除原理。
随着半导体工艺的不断发展，对半导体表面平整度和光泽度的要求越来越高，传统的机械抛光技术已经不能满足需求。铜自动抛光设备作为一种新兴的表面处理技术，具有、、无污染等优点，在半导体行业中的应用前景广阔。铜自动抛光设备不仅可以用于晶圆的表面抛光和去除氧化物，还可以用于半导体器件的表面平整化和去除残留物等方面，具有重要的应用价值。
